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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3419
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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