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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,833.8
17.4
写入速度,GB/s
2,123.3
14.5
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3419
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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