RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3606
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link