RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3606
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link