RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3606
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link