RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2666
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link