RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
87
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2034
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link