RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
69
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
31
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3433
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link