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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
18.3
写入速度,GB/s
1,857.7
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3433
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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