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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
69
Intorno -165% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
26
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3055
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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