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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
4,217.2
17.7
写入速度,GB/s
1,857.7
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3055
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
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