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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2831
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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