RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2831
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link