RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.4
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
18.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
4114
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link