RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
69
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.4
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
18.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
4114
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link