RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
69
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
23
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2960
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link