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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
69
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
32
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2017
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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