RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
69
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
35
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2654
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link