RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2654
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link