Confronto tra le RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 69

Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 1,857.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

668 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns