Comparação RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 69

Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 1,857.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 6400

Por volta de 4 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

668 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns