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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
58
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
33
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2383
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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