RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
58
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
47
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2323
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link