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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
22.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
58
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
29
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
22.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3792
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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