RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
58
Intorno -107% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
28
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3732
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link