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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
58
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
29
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3625
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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