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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
58
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
22
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3012
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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