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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
58
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
36
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2725
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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