RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
58
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
22
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3115
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link