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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
58
Intorno -190% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
20
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3473
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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