RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
58
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.1
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
35
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2078
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link