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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
58
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
35
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2848
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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