RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
75
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
75
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
1763
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link