RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
2711
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link