RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
2711
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link