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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,096.4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3491
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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