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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,096.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
4,168.7
18.6
写入速度,GB/s
2,096.4
14.4
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3491
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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