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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
39
读取速度,GB/s
4,241.0
14.3
写入速度,GB/s
1,950.7
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2880
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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