RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,096.4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
60
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
20
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3506
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link