RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
60
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3506
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link