RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2765
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link