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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Puntuación global
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
60
En -140% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2765
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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