Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Средняя оценка

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,096.4 11.5

Среднее значение в тестах

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Причины выбрать
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 60

Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 25
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

2,096.4 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2765

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

модули RAM