RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
96
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
50
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
992
2512
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link