RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
96
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
992
2512
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link