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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,096.4
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
60
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
39
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2443
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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