RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
60
En -54% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2443
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link