RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
60
Intorno -140% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
25
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2481
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link