RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3236
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link