RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3727
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link