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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
60
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
30
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2866
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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